末岡 浩治   Koji SUEOKA

講座・コース 情報電子工学講座(共通教育部兼務) Koji SUEOKA
役職 教授
生年月 非公開
自室番号 2303
Email sueoka**c.oka-pu.ac.jp
※利用の際は,** を @に置き換えてください.
学歴 京都大学工学部物理工学科(1987年3月)
京都大学大学院工学研究科物理工学専攻(修)(1989年3月)
学位 京都大学博士(工学)(1997年7月)
「CZ-Si単結晶中の酸化物析出と酸化誘起積層欠陥に関する研究」
着任年月 2010年04月
職歴 住友金属工業株式会社(1989年4月~2001年9月)
三菱住友シリコン株式会社(2001年10月~2003年5月)
岡山県立大学情報工学部助教授,准教授(2003年6月~2010年3月)
専門分野 応用物理学,半導体物性工学,材料工学
所属学協会 応用物理学会,日本表面科学会,日本材料学会,日本機械学会,電子情報通信学会,米国電気化学会,欧州材料学会
現在の研究テーマ 次世代LSI用半導体基板の開発,太陽電池用IV族混晶系半導体に関する研究,第一原理計算による新材料探索,材料物性の新予測技術開発
主要担当科目
 学部 自然科学入門 (情報工学部), 基礎電磁気学, 基礎力学 <物理学Ⅰ>, 半導体工学Ⅰ
 大学院 計算物理学, 半導体物性工学
相談・共同研究可能
なテーマ
半導体材料の高品位化,材料表面や界面の物性,分子シミュレーション技術
研究概要 【1】次世代LSI用半導体基板の開発に関する研究
2003年頃から第一原理計算などの分子シミュレーションを用い,(1)450mm直径シリコン結晶育成に重要な熱応力が点欠陥挙動に与える影響,(2)パワーデバイス用基板として重要な高濃度ドープn型シリコン結晶の欠陥挙動,(3)シリコンよりもキャリア移動度が高いゲルマニウム結晶の高品位化に関する基礎研究を行っている.

【2】第一原理計算法による新材料の探索
2008年から第一原理計算法による(1)超硬質窒化物薄膜,(2)離型性に優れた金型コーティング膜,(3)高品位シリコン系太陽電池,(4)量子ドット,超薄膜太陽電池などをターゲットにした新材料の探索を行っている.

【3】ガスバリヤーフィルムシミュレータの開
2011年から2014年まで,ガス分子の高バリヤー性を有する薄膜(フィルム)の機能発現と高性能化を目指した研究開発を行った.

【4】太陽電池用IV族混晶系半導体に関する研究
2012年から環境負荷が低いC, Si, Ge, SnのIV族からなる混晶系半導体に注目し,シリコンよりも高い変換効率を有する太陽電池の開発を目指した基礎研究を行っている.任意の組成において実現する原子配置と分配関数を求め,その結果からバンドギャップ等の材料物性を予測する計算システムの開発へと研究は進んでいる.
社会における活動 1. 日本学術振興会第145委員会幹事(2001~現在)
2. 応用物理学会中国四国支部幹事(2003~現在)
3. 半導体ネットおかやま副代表(2007~現在)
4. 日本学術振興会第145委員会主催The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (2016) プログラム委員長
5. 日本学術振興会第145委員会主催シリコンフォーラム2018 実行委員長
受賞 1. 優秀講演表彰(第24回計算力学講演会(2011年10月)「太陽電池向けSi量子ドットのバンドギャップに関する第一原理解析」

研究業績 [学術論文]
1.K. Sueoka, E. Kamiyama, J. Vanhellemont and K. Nakamura, ECS Solid State Letters 3, P69 (2014).
2. (注目論文として表紙に掲載)K. Sueoka, E. Kamiyama and J. Vanhellemont, Physica Status Solidi (b) 251, 2159 (2014).
3. R. Matsutani, K. Sueoka and E. Kamiyama, Physica Status Solidi (c) 11, 1718 (2014).
4. R. Suwa, K. Sueoka and E. Kamiyama, Physica Status Solidi (b) 251, 2221 (2014).
5. E. Kamiyama, K. Sueoka and J. Vanhellemont, Physica Status Solidi (b) 251, 2185 (2014).
6. E. Kamiyama, S. Nakagawa, K. Sueoka, T. Ohmura, T. Asano, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome and K. Kashima, Applied Physics Express 7, 021302 (2014).
7. E. Kamiyama, K. Sueoka and J. Vanhellemont, ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, P232 (2015).
8. E. Kamiyama, J. Vanhellemont and K. Sueoka, AIP Advances 5, 017127 (2015).
9. K. Saga, R. Ohno, D. Shibara, S. Kobayashi and K. Sueoka, ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, P131 (2015).
10. S. Shirasawa, K. Sueoka, T. Yamaguchi and K. Maekawa, ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, P351 (2015).
11. E. Kamiyama, R. Matsutani, R. Suwa, J. Vanhellemont and K. Sueoka, Materials Science in Semiconductor Processing 43, 209 (2016).
12. S. Shirasawa, K. Sueoka, T. Yamaguchi and K. Maekawa, Materials Science in Semiconductor Processing 44, 13 (2016).
13. (招待論文)Review - Properties of Intrinsic Point Defects in Si and Ge Assessed by Density Functional Theory, K. Sueoka, E. Kamiyama, P. Spiewak and J. Vanhellemont, ECS Journal of Solid State Science and Technology 5, P3176 (2016).
14. 末岡浩治,表面科学 37, 116 (2016).

[国際会議講演]
1. (招待)K. Sueoka, "Stress and Doping Impact on Intrinsic Point Defect Behaviour in Growing Single Crystal Silicon" E-MRS 2014 Spring Meeting, Symposium X (2014).
2. (招待)K. Sueoka, "Impact of Plane Stress on Critical (v/G) in Si Crystal Growth" ECS 2014 Fall Meeting, High Purity and High Mobility Semiconductors (2014).
3. K. Sueoka, "Theoretical Study of the Impact of Stress and Interstitial Oxygen on the Behavior of Intrinsic Point Defects in Growing Czochralski Si Crystals", The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (2015).
4. K. Sueoka, "Theoretical Study of the Impact of Stress and Interstitial Oxygen on the Behavior of Intrinsic Point Defects in Growing Czochralski Si Crystals", Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology 2015 (2015).

[著書]分担執筆
1. E. Kamiyama, K. Sueoka and J. Vanhellemont, Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals, CRC Press (2014).
2. 末岡浩治他,シリコン結晶技術,日本学術振興会第145委員会 (2015).
3. J. Vanhellemont, K. Nakanura, E. Kamiyama and K. Sueoka, Defects and Impurities in Slicon Materials (2015).
最終更新日 2016.05.24